半導体装置、回路基板及び電子機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-091045
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297019
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】高密度実装を図るため半導体装置を積層する三次元実装技術において、特に貫通した電極の一方の側と他方の側とをハンダ等のろう材で接合する場合、その接続性や接続強度を向上し、特に剪断力に対して大きな耐性を有する半導体装置、およびこれを備えた回路基板、電子機器を提供する。【解決手段】貫通孔H4を形成した半導体基板10と、貫通孔H4内に形成された第1の絶縁膜22と、貫通孔H4内にて第1の絶縁膜22の内側に形成された電極34とを有した半導体装置1である。第1の絶縁膜22は半導体基板10の裏面10b側にてこれより突出して形成され、電極34は半導体基板10の能動面10a側及び裏面10b側の両方に突出し、能動面10a側の突出部分は貫通孔H4内の第1の絶縁膜22の外径より大きい外径に形成され、裏面10b側の突出部分は第1の絶縁膜22よりさらに突出してその側面が露出して形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

貫通孔を形成した半導体基板と、前記貫通孔の内壁側に形成された第1の絶縁膜と、前記貫通孔内にて前記第1の絶縁膜の内側に形成された電極と、を有してなり、前記第1の絶縁膜は、前記半導体基板の裏面側にて該裏面より突出して形成され、前記電極は、前記半導体基板の能動面側およびその裏面側の両方に突出してなるとともに、能動面側における突出部分は前記貫通孔内の第1の絶縁膜の外径より大きい外径に形成され、裏面側における突出部分は前記第1の絶縁膜よりさらに突出してその側面が露出した状態に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/3205 , H01L23/12 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

FI (4件)：

H01L21/88 J , H01L23/12 501P , H01L25/08 Z , H01L23/52 C

Fターム (51件)：

5F033HH04 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH23 , 5F033HH33 , 5F033JJ04 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ23 , 5F033JJ33 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM30 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP20 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033VV00 , 5F033VV07 , 5F033XX18 , 5F033XX20

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-226502 出願人：株式会社東芝
マルチチップ半導体装置用チップ・製造方法・位置合わせ方法、およびマルチチップ半導体装置・製造方法・製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-109130 出願人：株式会社東芝
特開昭62-219954

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