特許
J-GLOBAL ID:200903052495229756
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-271362
公開番号(公開出願番号):特開2008-091651
出願日: 2006年10月03日
公開日(公表日): 2008年04月17日
要約:
【課題】 プラズマエッチングにおいて、ステップ間で連続放電を行った場合の、スループット低下,再現性低下,プラズマ放電不安定の問題を解決する。【解決手段】 ガス供給源101からガス供給源111に切換える場合に、事前にバルブ114を開き、MFC112の流量を次ステップで使用する流量に設定して、ガス供給源111を排気手段5に流しておいて、バルブ113を開くと同時にバルブ114を閉じることでガス供給源101からガス供給源111に切換えるガス切換方法において、バルブ113,バルブ114およびMFC112で囲まれた部分のガス配管115の容積V1を、ガス貯め10や処理ガスライン8を含むシャワープレートからバルブ113までの間の容積Voに比べて十分小さくする。これによって、圧力のアンダーシュートがなくなり放電不安定が発生しなくなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
減圧処理室と、該減圧処理室にガスを導入するためのガス配管および該ガス配管の内径より小さな内径の穴を複数有するガス導入部と、前記ガス配管およびガス導入部を介して複数のガスの混合ガスを前記減圧処理室に供給することのできるガス供給システムと、前記減圧処理室に接続された第1排気装置とを具備し、前記混合ガスからプラズマを生成して試料をエッチング処理するプラズマエッチング装置において、
前記ガス供給システムは、各ガスは各々マスフローコントローラを介して前記減圧処理室に供給される構造であって、前記各マスフローコントローラには、前記減圧処理室との間に各々設けられた第1バルブと、前記各マスフローコントローラと前記各第1バルブとの間の部分から分岐して各々第2排気装置に接続する各ガスパイパス管と、該各ガスパイパス管に設けられた第2バルブとを備え、前記各マスフローコントローラと前記各第1のバルブおよび前記各第2のバルブが集積化ガスシステムによって直結される構成を有するか、または前記第2排気装置と前記各第2バルブとの間に可変コンダクタンスバルブを有するか、の少なくともいずれかを有すること、
を特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (18件):
5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA06
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004CA01
, 5F004CA02
, 5F004CA08
, 5F004CB02
, 5F004CB20
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004EA28
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (4件)
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成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-124135
出願人:株式会社荏原製作所
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特開昭62-143427
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半導体装置の製造方法および製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-336268
出願人:川崎製鉄株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-344916
出願人:ソニー株式会社
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