特許
J-GLOBAL ID：200903052519149198
SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030995
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 バイポーラデバイスやパワーデバイス用として有用な、良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れた厚膜SOI層を有するSOIウエーハを提供する。【解決手段】 二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離してSOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SOI層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を形成させるSOIウエーハの製造方法とこの製法により製造された膜厚均一性の高い厚膜SOI層を有するSOIウエーハ。
請求項（抜粋）：
二枚の単結晶シリコンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してイオン注入層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、次いで熱処理を加えて該イオン注入層を劈開面として一方のシリコンウエーハを薄膜状に分離してSOI層を有するSOIウエーハを作製した後、該SOI層上にエピタキシャル層を成長させて厚膜SOI層を形成させることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
引用特許：
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