特許
J-GLOBAL ID：200903033758787959

シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

発明者：
山本 秀和

山本 秀和 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080939
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275905
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハ表面の化学的機械的研磨による表面不良のないSOI構造のシリコンウェーハを得る。【解決手段】シリコンウェーハ表面から、水素イオン注入を行なって、水素注入層を形成し、これを加熱して水素注入層からシリコン表面を剥がした後、シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がれた表面を平坦にする。また、水素雰囲気中のプラズマ処理によりアニールを行う。また、ラピッドサーマルアニールによりアニールを行う。
請求項（抜粋）：
表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ材の一の主面から水素イオンを注入して水素注入層を形成する工程と、上記シリコンウェーハ材の上記一の主面に基板材を張り合わせる工程と、上記シリコンウェーハ材を加熱して上記シリコンウェーハ材の上記基板材と張り合わされた部分のシリコンウェーハを上記水素注入層において剥ぐ工程と、上記基板材と張り合わされて剥がされた部分の上記シリコンウェーハを水素雰囲気中でアニールして剥がされた表面を平坦にする工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02
FI (2件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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