特許

J-GLOBAL ID：200903052612289730

半導体装置

発明者： 山下 博之 ,  堀尾 裕磨 ,  神村 直樹 ,  星 俊治
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019750
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070070
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構造で且つ、半導体素子チップの高い冷却効率を実現した半導体装置を提供する。【構成】 リードフレーム1上に熱伝導性の高い絶縁膜3が形成され、この絶縁膜3上にペルチェ効果素子5が形成され、このペルチェ効果素子5の上に更に熱伝導性の高い絶縁膜4が形成されて、この上にLSIチップ6が搭載される。

請求項（抜粋）：

リードフレーム上に熱伝導性の高い絶縁膜が形成され、この絶縁膜上にペルチェ効果素子を介して半導体素子チップが搭載されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-246981   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体光検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043940   出願人：浜松ホトニクス株式会社