CVD室をパッシベーションする方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-544848
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512307
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】プラズマ増速Ti-CVD膜を蒸着するのに用いられる処理室を、湿式清浄化(10)又はその場での化学的清浄化(20)後、又は順次蒸着工程(40)を行う度び毎に、効果的に調整及びパッシベーションすることができる方法が記載されている。その方法は、例えば、Ti-PECVD法のようなCVD法が、最小限の時間で且つ最小限の数の調整用ウエーハを用いて、抵抗率、均一性、及び蒸着速度のような膜特性を回復することができるようにしている。この方法は、連続的操作中、装置の安定性を維持する。このことは、室のその場での清浄化を行うまでの間に数千のウエーハの処理を可能にしている。室清浄化直後で、ウエーハにTi-CVD法を行う前に、その方法は、反応性ガスを用いたプラズマを形成して反応器部品を加熱し(16、34)、次に被覆材料含有反応物を添加して反応器部品上に被覆材料を蒸着し(18)、次に酸化性又は還元性ガスを室中へ導入して反応器部分上の被覆を安定化し(20)、次にウエーハ被覆工程を再開する(40)ことを含む。ウエーハのTi-CVDで連続的操作(40)を行う間、その方法は、必要に応じ、ArとH2ガスとの混合物を導入してプラズマを形成し、反応器部品を加熱し(43)、次にTiCl4を導入してそれを化学的に還元し(44)、加熱された反応器部品上にTを蒸着し(45)、次に酸化性又は還元性ガスを室中へ、Ti膜を安定化するのに必要な時間導入する(50)ことを含む。好ましくは、N2及びNH3を導入し、ウエーハのパッシベーションと反応器安定化を同時に行う。反応器だけの安定化及び或る場合にはウエーハの安定化は、NH3、H2O、O2、又は他のガスを使用してもよい。

請求項（抜粋）：

CVD処理室中に支持された基体の上にチタン含有材料を化学蒸着するための該CVD処理室の安定性を維持する方法において、反応器中でチタンの化学蒸着を行なった後、前記室中へ酸化性ガス又は還元性ガスを導入し、次いで、該室の諸部品のCVDチタン被覆された表面を、蒸着された材料が該表面上のチタン含有膜を安定化するのに充分な時間の間、前記ガスに曝す、諸工程を含む、上記維持方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 16/44 J , H01L 21/285 C

Fターム (18件)：

4K030AA03 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA01 , 4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104DD06 , 4M104DD43 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜形成方法および薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-323196 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭62-253770
インサイチュプレクリーニングステップを含むウェーハ上のチタン化学気相堆積法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-523700 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

薄膜形成方法および薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-323196 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭62-253770
特開昭62-253770

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