インサイチュプレクリーニングステップを含むウェーハ上のチタン化学気相堆積法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-523700
公開番号（公開出願番号）：特表2001-525613
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】基板上にチタン膜を堆積するためのマルチステップ化学気相堆積方法に関する。堆積プロセスの第1のステップは、水素含有ガスを含む前処理ガスと不活性ガスが基板処理チャンバの堆積区域内に流入されるプラズマ前処理ステップを含む。第1の堆積ステップ中、プラズマが前処理ガスから形成され、少なくとも約5秒間維持され、基板のコンタクト領域に残ったあらゆる絶縁材料をエッチングし、チタン層堆積前にコンタクト領域を洗浄する。次に、第2の堆積ステップ中、チタン含有源と還元剤が堆積区域内に導入され、第1ステップで形成されたプラズマが維持され、基板上のチタン層が堆積される。好適な実施形態では、前処理ガスに含まれる水素含有源と第2の堆積ステップの処理ガスにある還元剤は、H2の同じ連続した流れである。

請求項（抜粋）：

基板上にすでに形成された絶縁層を有する基板上にチタン膜を堆積するための化学気相堆積方法であって、 (a)堆積区域内に基板を配置するステップと、 (b)第1の堆積ステップの間に、 (i)前処理ガスを前記堆積区域内に流すステップと、 (ii)前記堆積区域内に、前記前処理ガスからプラズマを形成するステップと、 (iii)前記基板から絶縁層の上側部分をエッチングするために前記プラズマを維持するのに適切な状態で前記堆積区域を維持するステップと、 (c)前記第1ステップ後の第2の堆積ステップ中に、 (i)チタン含有原料ガスを含む処理ガスと反応ガスを前記堆積区域内に流すステップと、 (ii)前記処理ガスからプラズマを形成するステップと、 (iii)前記基板上にチタン層を堆積させるために適した状態で前記堆積区域を維持するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 , C23C 16/14

FI (2件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/14

Fターム (18件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104DD22 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH13

引用特許：

出願人引用 (5件)

高融点金属薄膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-323187 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304794 出願人：日本電気株式会社
液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336301 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (5件)

高融点金属薄膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-323187 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-304794 出願人：日本電気株式会社
液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336301 出願人：株式会社日立製作所

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