特許
J-GLOBAL ID：200903052640996264
Dyドープナノセリア系焼結体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-064616
公開番号（公開出願番号）：特開2005-247673
出願日： 2004年03月08日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 高電導性セリア系焼結体とその製造方法を提供しようというものである。【解決手段】 特定の組成を有する前駆体である沈殿生成物を得るプロセスを経ることによって、形状を制御し、凝集の少ない、易焼結性Dyドープナノセリア球状粒子を作製し、これを焼結することによって焼結体内の平均粒子径が100nm以下で、かつ緻密な焼結体を作成し、これによって劇的に導電率が向上し、これまでの希土類ドープセリア系焼結体にはない、高い導電率を有するナノ焼結体が実現した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一般式が、DyxCe1-xO2-δ(ただし、0.10≦x≦0.30、δはカチオンとアニオンの電荷のバランスから決定される酸素欠陥量を表す)または、(Dy1-aSra)xC
e1-xO2-δ(ただし、0.10≦a≦0.3、0.10≦x≦0.30、δはカチオン
とアニオンの電荷のバランスから決定される酸素欠陥量を表す)で表される蛍石化合物からなるナノ粒子焼結体であって、焼結体の平均粒子径が平均100nm以下であり、かつ焼結体密度が理論密度に対して95%以上の値を有し、700°Cにおける直流3端子法における導電率の測定値が、-1(S/cm)以上であることを特徴とする、Dyドープ高
電導性ナノセリア系焼結体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4G076AA02
, 4G076AB07
, 4G076BA13
, 4G076BB03
, 4G076BC02
, 4G076BC07
, 4G076BD02
, 4G076BE11
, 4G076CA11
, 4G076DA04
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB08
, 5H026BB10
, 5H026HH01
, 5H026HH05
, 5H026HH06
, 5H026HH08
