特許

J-GLOBAL ID：200903052651012509

膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 実沢 佳居 ,  平瀬 征基 ,  青江 弘行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228069
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130248
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜の表面を平坦化すること。【解決手段】 基板1上に形成されたAl配線パターン3、4の上に、プラズマTEOS酸化膜5を形成し、この酸化膜5の表面をアンモニアガスを用いて窒化処理した後、プラズマ酸化膜5の上に、常圧オゾンTEOS酸化膜6を形成する。すなわち、常圧オゾンTEOS酸化膜6を堆積する前に、プラズマTEOS酸化膜表面を窒化しておくことにより、下地配線パターンの幅に関係なく、常圧オゾンTEOS酸化膜5の成長レートをほぼ均一にし、膜厚にばらつきが生じにくくなる。また、窒化処理として、アンモニアガスを用いることにより、処理の際、窒素イオンがガスから容易に分離して、基板表面を早く窒化させることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を堆積する前に、基板表面を窒化処理することを特徴とした膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003815   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-328831
  
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222101   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-328831