薄膜トランジスタ・デバイスおよびその形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003523
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229435
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】平坦なポリマ・トランジスタを製造する方法および構造を提供する。【解決手段】第一の平坦なキャリアを用いてゲート,ソース,ドレインおよびボディ・エレメントを含むデバイスの第一の部分を処理することによって完全に平坦化されたポリマ薄膜トランジスタを形成する。好ましくは、薄膜トランジスタは全て有機材料で作成される。ゲート誘電体は、デバイス性能を高める高Kポリマとすることができる。次に、部分的に完成したデバイス構造を上下逆にし、第二の平坦なキャリアへ移す。ワックスまたは感光性有機材料の層を付着し、一時的な接着剤として用いることができる。ボディ領域を含むデバイスを、エッチング・プロセスによって定める。デバイスへのコンタクトを、導電性材料の付着および化学機械研磨によって形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ・デバイスを形成する方法であって、第一の絶縁層を第一の基板上に付着する工程と、前記第一の絶縁層の上に導電層をパターンニングする工程と、前記導電層の上に複合物を形成する工程と、前記複合物の上に半導体層を付着する工程と、前記半導体層を第二の絶縁層で保護する工程と、前記デバイスに熱処理を加える工程と、前記第二の絶縁層の上に第二の基板を付着する工程と、前記デバイスの上下を逆にする工程と、前記第一の基板を除去する工程と、前記第二の基板をキャリア層へ接着する工程と、前記第一の絶縁層の上に第三の絶縁層を付着する工程と、前記第一の絶縁層と前記第三の絶縁層とを貫いてコンタクトを形成する工程とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (5件)：

H01L 29/78 627 D , H01L 29/78 627 A , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

Fターム (25件)：

5F110AA18 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK32 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ04 , 5F110QQ06 , 5F110QQ08 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開2043-011352
結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-199658 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開2043-019825

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