特許
J-GLOBAL ID：200903052722245542
単結晶の育成方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075328
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265293
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】【課題】マイクロ引下げ法によって単結晶を連続的に育成するのに際して、単分域化した単結晶を育成しうるようにすることであり、これによって育成後の単結晶を単分域化する必要をなくすることである。【解決手段】単結晶材料の溶融物をルツボ7から引下げつつ、冷却して単結晶14を生成させる。単結晶14の冷却過程で、キュリー点付近において、単結晶14に温度勾配を設けることによって、単結晶を引き下げるのと共に連続的に単分域化させることを特徴とする。キュリー点付近において単結晶14に温度勾配を設けるための温度制御機構12A、12Bを備えている。
請求項（抜粋）：
単結晶材料の溶融物をルツボから引下げつつ、冷却して単結晶を生成させる、単結晶の育成方法であって、前記単結晶の冷却過程で、キュリー点付近において前記単結晶に温度勾配を設けることによって、前記単結晶を引き下げるのと共に連続的に単分域化させることを特徴とする、単結晶の育成方法。
IPC (3件)：
C30B 15/08
, C30B 29/30
, C30B 29/60
C30B 15/08
, C30B 29/30 A
, C30B 29/60
