特許
J-GLOBAL ID：200903052761892466

半導体装置及びそれを備えた電子機器並びに半導体装置の製造方法

発明者：
宗像 浩次

宗像 浩次 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164355
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347460
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 はんだバンプ内のボイドの発生を低減することができる半導体装置及びそれを備えた電子機器並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、ウエハレベル・チップ・サイズ/スケール・パッケージ(WLCSP)と称されるもので、表面に電極21及び絶縁樹脂層22が形成された半導体ウエハ1と、半導体ウエハ1上の所定位置に形成され上面に円錐状凹部24が形成された絶縁性の樹脂ポスト23と、円錐状凹部24上の第1の再配線層31及び電極21に電気的に接続される第2の再配線層32とからなる再配線層25と、第1の再配線層31上に搭載されたはんだバンプ26とを備えていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一主面に電極が形成された半導体基板と、この電極を含む半導体基板上の所定位置に形成されかつ上面に凹部が形成された絶縁性の突起状樹脂と、前記凹部に形成され一端部が前記電極に電気的に接続された再配線層と、この再配線層上に搭載されたはんだバンプとを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L21/60
FI (4件)：
H01L21/92 602A ,  H01L21/92 602E ,  H01L21/92 604H ,  H01L21/92 602K
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314047   出願人：株式会社フジクラ
  • 国際公開第00/77843号パンフレット
審査官引用 (3件)

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