特許
J-GLOBAL ID:200903052762159843

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-188760
公開番号(公開出願番号):特開2001-015558
出願日: 1999年07月02日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子と基板とを樹脂を介して接続した場合、半導体素子の各辺の側面からはみ出る樹脂の量に差が生じ、製品としての信頼性を損ねるという課題があった。【解決手段】 上面に段差部分が傾斜部6を有した凹部7と、その凹部内に電極を有し、底面にその電極と接続した外部電極3を有したキャリア基板8と、そのキャリア基板の凹部7に載置され、基板の電極と突起電極2を介して接続された半導体素子1と、半導体素子1とキャリア基板8の凹部7との間に設けられた樹脂部9とよりなり、テーパー状の傾斜部6を有した凹部7に樹脂部9が収納した形で介在しているので、半導体素子1/キャリア基板8間の樹脂部9が余分なはみ出しを抑えられて確実に形成されており、両者間の接着強度の劣化を防止できる。
請求項(抜粋):
上面に段差部分が傾斜部を有した凹部と、前記凹部内の面に配線電極を有し、底面に前記配線電極と基板内部のビアホールにより接続された外部電極を有したキャリア基板と、前記キャリア基板の前記凹部に載置され、前記配線電極とその主面の電極パッドとが突起電極を介して接続された半導体素子と、前記半導体素子と前記キャリア基板の凹部との間に設けられた樹脂部とよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E
Fターム (10件):
5F044KK01 ,  5F044KK23 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR10 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26 ,  5F061FA05
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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