半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078447
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288843
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】情報の記録及び読み出しを容易に行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1の電極2及び第2の電極5の間にアモルファス薄膜4が挟まれて構成され、第1の電極2及び第2の電極5の少なくとも一方の電極5がAg又はCuを含み、アモルファス薄膜4がGeとS,Se,Te,Sbから選ばれる1つ以上の元素とから成る半導体記憶素子10を構成する。また、この半導体記憶素子10と、第1の電極2側に接続された配線と、第2の電極5側に接続された配線とを有して、半導体記憶素子10を多数配置して磁気記憶装置を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極及び第2の電極の間に、アモルファス薄膜が挟まれて構成され、前記第1の電極及び前記第2の電極は、少なくとも一方の電極がAg又はCuを含み、前記アモルファス薄膜は、Geと、S,Se,Te,Sbから選ばれる1つ以上の元素とから成ることを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 , H01L45/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 A

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA56

引用特許：

審査官引用 (4件)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ
プログラマブルメタライゼーションセル構造およびその作製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-501650 出願人：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ,アクティングオンビハーフオブアリゾナステイトユニバーシティ
半導体不揮発性メモリセル、半導体不揮発性メモリ装置および半導体不揮発性メモリセルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-258107 出願人：シャープ株式会社

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