特許

J-GLOBAL ID：200903088090936182

窒化物半導体薄膜の作製方法

発明者： 小林 隆 ,  横山 春喜 ,  廣木 正伸 ,  牧本 俊樹 ,  熊倉 一英
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176527
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004970
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。【解決手段】まず、サファイア基板101の上に、例えばスパッタ法により、Al2O3層102、AlOxNy層103、AlN層104が形成された状態とする。この後、AlN層104の上に、亜鉛がドープ(2×1018cm-3)されたp形のGaN(結晶)からなるバッファ層105が形成された状態とする。例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層105が形成できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に所定の酸素組成比x及び所定の窒素組成比yとされた酸窒化アルミニウムからなるAlOxNy層が形成された状態とする工程と、 前記AlOxNy層の上にp形の不純物が導入された窒化物半導体からなるバッファ層が形成された状態とする工程と を少なくとも備え、 前記バッファ層の上に窒化物半導体薄膜が形成される ことを特徴とする窒化物半導体薄膜の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (3件)：

H01L21/20 ,  C23C16/34 ,  H01L29/80 H

Fターム (27件)：

4K030AA11 ,  4K030AA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA14 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III-V族窒化物半導体の層構造体、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-029899   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平2-141495
  
• スピネル基板上に窒化ガリウムを成長させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-011932   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• III族窒化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-152742   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Effects of reactive ion beam treatment of a sapphire surface to optimite the deposition of GaN films