特許
J-GLOBAL ID：200903003596336307
バリア/スペーサ層を有するIII族窒化物系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 大塚 住江
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-590421
公開番号（公開出願番号）：特表2005-509274
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】高周波特性を改善する。【解決手段】III族窒化物系高電子移動度トランジスタ(HEMT)10は、GaNバッファ層26を備えており、Ganバッファ層26上にAlyGa1-yN(y=1又は≒1)層28がある。AlxGa1-xN(0≦x≦0.5)バリア層30が、GaNバッファ層26の反対側でAlyGa1-yN層28上にあり、該層28のAl濃度は、バリア層30よりも高い。GaNバッファ層26とAlyGa1-yN層28との間の界面に2DEG38が形成されている。バリア層30上に、ソース、ドレイン、及びゲート・コンタクト32、34、36が形成されている。また、AlyGa1-yN層28の反対側において、バッファ層26に隣接する基板22も含み、GaNバッファ層26と基板22との間に、核生成層24を含むことができる。
請求項（抜粋）：
高電子移動度トランジスタ(HEMT)(20)であって、
GaNバッファ層(26)と、
GaNバッファ層(26)上のAlyGa1-yN層(28)と、
GaNバッファ層(26)の反対側で、AlyGa1-yN層(28)上にあるAlxGa1-xNバリア層(30)であって、AlyGa1-yN層(28)のAl含有量が、AlxGa1-xNバリア層(30)のAl含有量よりも多い、AlxGa1-xNバリア層(30)と、
GaNバッファ層(26)とAlyGa1-yN層(28)との間のインターフェースにある2DEGと、
からなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
H01L29/80 H
, H01L29/80 Q
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK09
, 5F102GL04
, 5F102GL08
, 5F102GL09
, 5F102GL20
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC04
, 5F102HC15
