特許
J-GLOBAL ID：200903052810987737

低誘電率膜の形成方法

発明者：
熊田 輝彦

熊田 輝彦 について

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信時 英治

信時 英治 について

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後藤 欣哉

後藤 欣哉 について

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松浦 正純

松浦 正純 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 宮田 金雄 ,  高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355201
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186649
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】接着強度に優れ、かつ低誘電率と高機械強度を長期にわたり安定した低誘電率膜の形成方法を得る。【解決手段】下記化学式(1)で示されるボラジン骨格を有した化合物を原料として、【化1】(上式中、X1、X2、X3は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アミノ基、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、モノアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基、Y1、Y2、Y3は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基または炭素数3〜12のトリアルキルシリル基で、X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3の全てが水素原子ではない。)化学的気相成長法により成膜するものである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記化学式(1)で示されるボラジン骨格を有した化合物を原料として、
IPC (2件)：
H01L21/312 ,  C23C16/34
FI (2件)：
H01L21/312 A ,  C23C16/34
Fターム (14件)：
4K030AA01 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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