特許

J-GLOBAL ID：200903052847996213

酸化ケイ素薄膜の形成方法

発明者： 阿川 義昭 ,  木内 正人 ,  松谷 貴臣
出願人/特許権者： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 東田 潔 ,  山下 雅昭 ,  打揚 洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-133682
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002907
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】低温で、簡単かつ再現性良く酸化ケイ素薄膜を形成する方法の提供。【解決手段】材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴン等のイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に300eV以下で照射し、酸素の存在下、300°C以下で、酸化ケイ素薄膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

成膜チャンバーに真空排気系、ガス導入系、質量分離機構を有しないイオンビーム照射装置が設けられた酸化ケイ素薄膜形成装置を用いて、該チャンバー内に設置された基板上に酸化ケイ素薄膜を形成する方法であって、有機ケイ素を気化せしめて得た材料ガスを該チャンバー内へ供給し、該材料ガスを該基板上に吹き付け、一方、該イオンビーム照射装置によりプラズマ生成用ガスのイオンビームを発生させ、このイオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に該基板上に照射し、酸素の存在下、300°C以下で、酸化ケイ素薄膜を形成することを特徴とする酸化ケイ素薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/42 ,  C23C16/48 ,  H01L21/316

FI (3件)：

C23C16/42 ,  C23C16/48 ,  H01L21/316 X

Fターム (14件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198645   出願人：日新電機株式会社
• ゲート絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179994   出願人：株式会社ジーテイシー