薄膜トランジスタの製造方法、および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122697
公開番号（公開出願番号）：特開平10-311985
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】製造コストの低減と、各TFT間でのLDD長のばらつきの低減とを図ることができ、かつ、不純物イオンの導入時のチャージアップに起因するダメージの発生を防止することのできるTFT基板の製造方法を提供する。【解決手段】 TFTの製造方法において、ゲート電極15、25、35の形成後、その表面側に塗布ITO膜41を形成すると、サイドウォールを形成したのと同じ状態になる。この状態のまま高濃度の不純物イオンを導入すると、ゲート電極の端部に対峙するソース・ドレイン領域では不純物イオンの導入量が少ないので、LDD領域(低濃度ソース・ドレイン領域)が自動的に形成され、ゲート電極を広めに覆うレジストマスクが不要である。塗布ITO膜41は導電性を有するので、不純物イオンを導入する際のチャージアップを防止できる。

請求項（抜粋）：

基板に対して半導体膜を形成し、該半導体膜の表面にゲート絶縁膜およびゲート電極を順次形成した以降、該ゲート電極の表面側に導電性塗布膜を形成する導電性塗布膜形成工程と、該導電性塗布膜の表面側から前記半導体膜に不純物イオンを導入してソース・ドレイン領域を形成する不純物導入工程と、前記導電性塗布膜を除去する導電性塗布膜除去工程と、前記導電性塗布膜を除去した後の前記ゲート電極の表面側に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-182652 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-186263 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
導電性塗料
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-353948 出願人：富士チタン工業株式会社

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