特許
J-GLOBAL ID：200903037447235222
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186263
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032079
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 OFF電流の小さい薄膜トランジスタを得る。【構成】 105に示すようにゲイト電極となるアルミニウムを主成分とする膜を島状に形成し、その側面にポーラス状の酸化物層107を陽極酸化工程で形成する。そして不純物イオンの注入を行うことにより、ソース領域110とドレイン領域111とを形成する。さらに先の酸化物層107を取り除き、再び不純物イオンの注入を行うことによって、ライトドープ領域を形成する。こうして、ソース/ドレイン領域とチャネル形成領域との間にライトドープ領域を有した構成を得ることができる。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層をほとんど覆って形成された絶縁膜と、を有し、前記活性層中には、一対のライトドープ領域と一対のオフセットゲイト領域とが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 P
