特許
J-GLOBAL ID：200903052870133982
プログラム可能なアンチヒューズ素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146735
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058209
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 ヒュージングエラーが発生しても、アンチヒューズ素子の復旧能力を向上させることができ、また、ヒュージング後の二つの電極の電気的導電性を向上させることができる、プログラム可能なアンチヒューズ素子およびその製造方法を提供する。【構成】 機能素子が形成された半導体基板1上に層間膜を介して二層構造の電極を形成する電気的にプログラム可能なアンチヒューズ素子である。上記半導体基板1上に形成されたフィールド酸化膜2と、上記フィールド酸化膜2上に所定パターンで形成された第1電極3と、上記第1電極3の両端の上部に跨って上記フィールド酸化膜2上に形成された第1絶縁膜4と、上記第1絶縁膜4の間で上記第1電極3の露出された表面上に形成されて上記層間膜として用いられた第2絶縁膜5と、上記第2絶縁膜5上に第2電極6を含む。
請求項（抜粋）：
機能素子が形成された半導体基板(1)上に層間膜を介して二層構造の電極を形成する電気的にプログラム可能なアンチヒューズ素子において、上記半導体基板(1)上に形成されたフィールド酸化膜(2)と、上記フィールド酸化膜(2)上に所定パターンで形成された第1電極(3)と、上記第1電極(3)の両端の上部に跨って上記フィールド酸化膜(2)上に形成された第1絶縁膜(4)と、上記第1絶縁膜(4)の間で上記第1電極(3)の露出された表面上に形成されて上記層間膜として用いられた第2絶縁膜(5)と、上記第2絶縁膜(5)上に形成された第2電極(6)とを含むことを特徴とするアンチヒューズ素子。
IPC (4件)：
H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/41
H01L 21/82 F
, H01L 27/04 V
, H01L 27/04 F
, H01L 29/44 Z
