特許
J-GLOBAL ID：200903052887957121
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353231
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186522
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】半導体ウエハを割れや欠けを発生させずに薄仕上げし、半導体ウエハ裏面に金被膜をスループットよく成膜する。【解決手段】半導体ウエハ20の半導体素子形成面21に保護テープ24を真空中でガス放出量の少ない熱可塑性樹脂で構成したホットメルト接着層25によって接着する。この状態で、半導体ウエハの裏面を研削しウエットエッチングし、さらに、半導体ウエハの裏面に金被膜を成膜する。【効果】半導体ウエハを保護テープで補強しながら薄仕上げすることで、半導体ウエハの反り、撓み、チッピングや割れを防止できる。半導体ウエハ裏面金被膜形成工程においてガス放出を防止できるので、所定の真空度に減圧される迄の到達時間を短縮してスループットを向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一主面に半導体素子を含む集積回路が形成された半導体ウエハを製造する前工程と、この前工程の後に前記半導体ウエハの第一主面に少なくともホットメルト接着層を有する保護テープを貼り付ける保護テープ貼付工程と、この保護テープ貼付工程の後に前記半導体ウエハの第二主面を加工する加工工程と、この加工工程の後に半導体ウエハの第二主面に金属膜を成膜する成膜工程と、この成膜工程の後に前記半導体ウエハの第一主面に貼り付けた保護テープを剥離する剥離工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, H01L21/02 C
