スパッタリングターゲット、炭化珪素被膜、光ディスク及び光ディスクの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275626
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】繰り返し使用しても品質劣化の小さい、安価な光ディスク等を提供する。【解決手段】光ディスクは、透明基板1上に順次形成された、第1の誘電体層2と、相変化記録層3と、第2の誘電体層4と、反射層6とを備える。立方晶閃亜鉛型構造(β型)の炭化珪素を50モル%以上含み、炭素と珪素の原子数比が、化学量論組成である、1/1よりも大きく、20モル%以内で過剰な炭素を含む炭化珪素から構成されるスパッタリングターゲットに対して、直流スパッタリング法を適用して、酸素を含む不活性ガスを流通させながら、被膜形成された、実質的に遊離した炭素原子を含有しない非晶質状態の炭化珪素被膜5が、第2の誘電体層4の少なくとも一部を構成し、反射層6と隣接するように配置されている。

請求項（抜粋）：

立方晶閃亜鉛型構造(β型)の炭化珪素を50モル%以上含み、室温での比抵抗が10-1Ωcm以下の炭化珪素から構成される、ことを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (10件)：

C23C 14/34 , B41M 5/26 , C04B 35/573 , C04B 35/565 , G11B 7/24 511 , G11B 7/24 534 , G11B 7/24 , G11B 7/24 535 , G11B 7/24 538 , G11B 7/26 531

FI (10件)：

C23C 14/34 A , G11B 7/24 511 , G11B 7/24 534 N , G11B 7/24 534 J , G11B 7/24 535 G , G11B 7/24 538 E , G11B 7/26 531 , B41M 5/26 X , C04B 35/56 101 U , C04B 35/56 101 Y

Fターム (34件)：

2H111EA23 , 2H111FA01 , 2H111FA12 , 2H111FA21 , 2H111FA23 , 2H111GA03 , 4G001BA22 , 4G001BA60 , 4G001BB22 , 4G001BB60 , 4G001BC13 , 4G001BC42 , 4G001BC47 , 4G001BD22 , 4G001BE02 , 4G001BE03 , 4K029AA06 , 4K029AA11 , 4K029BA56 , 4K029BB02 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5D029JA01 , 5D029LA14 , 5D029LA17 , 5D029LB01 , 5D029LB07 , 5D029MA13 , 5D121AA04 , 5D121EE03 , 5D121EE09 , 5D121EE14

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-128369
炭化ケイ素焼結体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-231470 出願人：株式会社ブリヂストン
相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-170955 出願人：日本ビクター株式会社

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