特許
J-GLOBAL ID：200903052900924025
水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208987
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 水素熱処理によりシリコンウェーハの酸化膜耐圧を向上させるに当たり、少なくともウェーハ表面から3μm以上の深さにまで前記耐圧特性の効果を及ぼすことができるような水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 CZ法によるシリコン単結晶の育成時、grown-in欠陥が形成される1150〜1080°Cの温度領域(欠陥形成温度帯)での冷却速度を2.0°C/min以上とし、as-grown時のLSTD密度が3.0×106 /cm3 以上、又はFPD密度が6.0×105 /cm3 以上の単結晶を製造する。このような単結晶は欠陥サイズが小さいため、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中での熱処理により欠陥の消滅速度が増加し、水素熱処理の効果がウェーハ表面から3μm以上の深さにまで及ぶ。
請求項（抜粋）：
水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で熱処理を行う水素熱処理用シリコンウェーハであって、as-grown時のLSTD密度が3.0×106 /cm3 以上、又はFPD密度が6.0×105 /cm3 以上であることを特徴とする水素熱処理用シリコンウェーハ。
引用特許：
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