特許
J-GLOBAL ID：200903052930763034

金属酸化物または金属シリケートゲート誘電体層を有する半導体デバイスの製造方法

発明者：
マイケル ステイガーワルド

マイケル ステイガーワルド について

, 
グレン ディヴィッド ウィルク

グレン ディヴィッド ウィルク について


出願人/特許権者：
アギア システムズ ガーディアン コーポレーション

アギア システムズ ガーディアン コーポレーション について


代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247517
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158224
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に酸化金属またはケイ酸金属ゲート誘電体層を形成するための方法を提供する。【解決手段】 適当に処理された基板がチャンバ内に設置される。有機前駆物質ガスがチャンバ内に流入する。その後で、無機前駆物質ガスが、チャンバ内に流入する。有機前駆物質は、基板上に誘電体層を形成するために、自分自身と、無機前駆物質および基板との間の反応に対して、触媒としての働きをする。
請求項（抜粋）：
デバイスを製造するためのプロセスであって、半導体基板を供給するステップと、チャンバ内に前記基板を置くことにより前記シリコン基板上に誘電体層を形成するステップと、前記チャンバ内に有機前駆物質ガスと、無機前駆物質ガスとを導入するステップとを含み、前記有機前駆物質ガスが、その上に誘電体層を形成するために、前記無機前駆物質ガスと前記有機前駆物質ガスと基板との間の反応に対して、触媒としての働きをするプロセス。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (28件)：
4K030AA06 ,  4K030AA24 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF38 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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