特許
J-GLOBAL ID：200903028692713475

多孔質膜の形成方法及びその形成装置

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-125568
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330069
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 前駆体溶液を用いることなく比誘電率の低い多孔質層間絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 大気圧以下の圧力に保たれていると共に基板を保持している処理室内に気体状のシラン誘導体(モノシラン)、酸化剤(過酸化水素)及び揮発記酸化剤を導入して、シラン誘導体及び酸化剤からなるシラノールを形成した後、形成されたシラノールを縮合させながら該シラノールに揮発性有機物を分子状に含有させて揮発性有機物含有シラノール縮合体を形成し、その後、揮発性有機物含有シラノール縮合体を基板上に堆積させて揮発性有機物含有シラノール縮合体膜を形成する。次に、基板を加熱処理することにより、揮発性有機物含有シラノール縮合体膜から揮発性有機物を揮発させて、その跡に空孔を形成してシラノール縮合体からなる多孔質膜を形成する。
請求項（抜粋）：
大気圧以下の圧力に保たれていると共に基板を保持している処理室内に気体状のシラン誘導体、気体状の酸化剤及び気体状の揮発性有機物をそれぞれ互いに独立して導入すると共に、前記処理室内を前記シラン誘導体と前記酸化剤とからなるシラノールが形成される一方前記揮発性有機物の揮発が抑制される温度下に保つことにより、気相中において前記シラン誘導体と前記酸化剤とからなるシラノールを形成した後、形成されたシラノールを縮合させながら該シラノールに前記揮発性有機物を分子状に含有させて揮発性有機物含有シラノール縮合体を形成し、その後、前記揮発性有機物含有シラノール縮合体を前記基板上に堆積させて揮発性有機物含有シラノール縮合体膜を形成するシラノール縮合体膜形成工程と、前記基板を加熱処理することにより、前記揮発性有機物含有シラノール縮合体膜から前記揮発性有機物を揮発させて該揮発性有機物が揮発した跡に空孔を形成してシラノール縮合体からなる多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程とを備えていることを特徴とする多孔質膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM