特許
J-GLOBAL ID：200903052939237092
エネルギー変換のための熱ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
, 橋本 傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567024
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523094
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
固体熱イオンエネルギー変換器半導体ダイオード実装と、熱エネルギーを電気エネルギーに、および電気エネルギーを冷却に変換する方法に関する。本発明の実施形態において、高ドープN領域(14)は、エミッタ領域として作用し、エミッタ領域からキャリアがギャップ領域に注入されることができる。ギャップ領域(16)は、P型、または真性、あるいは適度にドープされたN型(14)であることができる。高温オーミックコンタクト(12)は、N*型領域に接続される。低温オーミックコンタクトは、コレクタとして作用し、ギャップ領域の他の側に接続される。低温オーミックコンタクト(20)は、低温オーミックコンタクトとギャップ領域との間に形成された再結合領域と、熱電気戻りフロー成分(thermoelectric back flow component)を低減する遮断補償層(blocking compensation layer)とを有する。コレクタに対して加熱されたエミッタは、直列負荷を介して電流を駆動するEMFを生成する。本発明の原理は、ホール伝導率ならびに電子に関して作用する。
請求項（抜粋）：
固体熱イオン変換器であって、
濃度Nd*を有する第1のドナーを含む少なくとも1つの領域を有するエミッタと、
コレクタと、
前記エミッタおよび前記コレクタと電気的および熱的に連絡する前記エミッタと前記コレクタとの間のギャップ領域とを含み、当該ギャップ領域は半導体を含み、当該半導体は濃度Ndを有する第2のドナーを含み、当該第2のドナーの前記濃度は、比Nd*/Ndの自然対数が、0より大きい数値と約7との間であるように選択されていることを特徴とする変換器。
IPC (4件)：
H01L35/32
, H01L35/16
, H01L35/18
, H01L35/20
H01L35/32 A
, H01L35/16
, H01L35/18
, H01L35/20
