特許
J-GLOBAL ID：200903052950952801
半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244330
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092921
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ領域と光変調器領域との間の導波路厚変化によって生じるこの構造特有のキンクモードを抑制し、単一軸モード発振歩留まりの向上を図ることができる集積化光源およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 基板1上に半導体レーザと光変調器とを形成する際、選択MOVPE法により成長阻止マスク6を用いて半導体層8〜12を成長させて形成し、この際、半導体レーザ領域3と光変調器領域4との間の緩やかに導波路厚が変化している120μmの遷移領域のうち、単一軸モード発振歩留まりの悪化している光変調器領域4の約40μmおよび半導体レーザ領域3の約20μmの合計60μm(遷移領域の50%)の範囲に回折格子2が形成されないように、半導体レーザ領域3の側で、成長阻止マスク6の幅が変化する位置から30μm入った位置までを除く範囲(遷移領域の約42%)に回折格子2が形成されている。
請求項（抜粋）：
分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器とが同一基板上に形成されている集積化光源において、該分布帰還型半導体レーザと該電界吸収型変調器の境界付近で緩やかに導波路厚が変化している遷移領域に形成される回折格子が、前記分布帰還型半導体レーザの領域かつ前記遷移領域において、該遷移領域の全長の所定割合で形成されていることを特徴とする半導体レーザと光変調器との集積化光源。
IPC (3件)：
H01S 3/103
, H01L 27/15
, H01S 3/18
H01S 3/103
, H01L 27/15 B
, H01L 27/15 C
, H01S 3/18
