特許

J-GLOBAL ID：200903052951368275

半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 高島 晃 ,  上村 和也 ,  熊谷 欣一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240650
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068409
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は基板に形成された小径の開口部に半田ボールを配設する半導体装置の製造方法及び回路基板の製造方法及び半導体製造装置に関し、基板に形成された開口部の径寸法が小さくなっても確実に半田ボールを基板に搭載することを可能とすることを課題とする。【解決手段】一方の開口縁に電極膜5が覆設された開口部14が形成された基板2に半田ボール10を搭載する際、先ず開口部14上に半田ペースト13を印刷すると共にこの半田ペースト13を加熱溶融させる。これにより、半田ペースト13内の半田15は開口部14内に流し、この開口部14を埋めると共に電極膜5と接合する。続いて、この開口部14内に埋設された半田15に半田ボール10を接合する。この製造方法では、半田ボール10の接合前に半田ペースト13を加熱溶融させるため、開口部14の径寸法L2が小さくても、開口部14内を半田15で確実に埋めることができる。よって、半田15,電極膜5,及び半田ボール10を確実に電気的に接続することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップが搭載されると共に一方の開口縁に導電性膜が覆設された開口部が形成された樹脂基板に、外部接続端子となる半田ボールを搭載するボール搭載工程を有する半導体製造装置の製造方法において、前記ボール搭載工程は、前記開口部上に半田ペーストを印刷すると共に、前記半田ペーストを加熱溶融させることにより半田を前記開口部内に流入させ、前記開口部に前記導電性膜と接合した状態で前記半田を埋設する埋設工程と、前記埋設工程の終了後、前記半田ボールを前記開口部内に埋設された半田に接合するボール接合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 Z

Fターム (3件)：

4M105AA11 ,  4M105AA19 ,  4M105BB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半田バンプを有する基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-236697   出願人：日本特殊陶業株式会社
• パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-238384   出願人：イビデン株式会社