特許
J-GLOBAL ID：200903052967955219

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体装置の製造方法

発明者：
石田 昌宏

石田 昌宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338398
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】【課題】 母材基板上に窒化物半導体層を成長し、レーザ照射により母材基板と窒化物半導体層を分離して窒化物半導体基板ないしは窒化物半導体装置を製造する方法において、クラックや割れの発生を防止する。【解決手段】 アンモニアと、金属GaとHClを約900°C程度の高温で反応させて生じるGaClとを原料とするハイドライド気相成長法(以下、HVPE法と称する)により、GaN層2の厚さが150μmとなるまで成長を行う。結晶成長終了後、室温付近まで基板温度を降下させ、HVPE装置から基板を取り出し、GaN層2を500°Cに加熱して、レーザ光10をスキャンしながら照射を行う。
請求項（抜粋）：
母材基板上に窒化物半導体層を形成する工程と、前記母材基板と前記窒化物半導体層との界面の温度が前記母材基板の融点未満の温度となるように前記窒化物半導体層に光を照射して前記母材基板と前記窒化物半導体層とを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C
Fターム (13件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F041DA09 ,  5F052KA01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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