特許
J-GLOBAL ID：200903053718996939
半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272286
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101139
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 良好なへき開性、放熱性、リーク耐圧性などを有する窒化物系半導体の半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイアなどの基板上に窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させ、基板を剥離する。基板を剥離する方法としては、「リフトオフ層」を設ける方法と、基板の表面に加工を施して凹部を設ける方法と、基板の裏面側からレーザ光を照射する方法を挙げることができる。基板を剥離して得られた窒化物系半導体層を新たな基板としてその上に高品質の窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させることもできる。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子の製造方法であって、基板上に結晶欠陥または欠損部の少なくともいずれかを含んだリフトオフ層を設ける工程と、前記リフトオフ層の上に窒化物系半導体からなる層を設ける工程と、前記リフトオフ層に応力を加えることにより、前記基板と前記窒化物系半導体からなる層とを分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Fターム (9件)：
5F041AA31
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA77
, 5F041CB36
