特許
J-GLOBAL ID:200903052989435707
絶縁性薄膜の欠陥検出方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
植木 久一
, 菅河 忠志
, 二口 治
, 伊藤 浩彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-287983
公開番号(公開出願番号):特開2006-098362
出願日: 2004年09月30日
公開日(公表日): 2006年04月13日
要約:
【課題】 基板11上の絶縁性薄膜12の微小欠陥18を、確実且つ簡便に検出することのできる絶縁性薄膜の欠陥検出方法を提供することを目的とする。【解決手段】 導電性を有する基板11の上に形成された絶縁性薄膜12の欠陥を検出する方法であって、絶縁性薄膜12の表面に導電性溶液14を配し、導電性溶液14と基板11との間の電気抵抗を測定する。導電性溶液14は微少欠陥18内に容易に侵入する。微少欠陥18が存在すると電気抵抗が低く表れるので、微少欠陥18を検知できる。しかも検査後は、導電性溶液14の除去が容易であるから、基板11や絶縁性薄膜12への悪影響の虞も殆どない。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
導電性を有する基板の上に形成された絶縁性薄膜の欠陥を検出する方法において、
前記絶縁性薄膜の表面に導電性溶液を配し、
該導電性溶液と前記基板との間の電気抵抗を測定することを特徴とする絶縁性薄膜の欠陥検出方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G01N27/20 Z
, H01L21/66 K
Fターム (14件):
2G060AA09
, 2G060AE02
, 2G060AE03
, 2G060AF07
, 2G060AG11
, 2G060EA07
, 2G060EB05
, 2G060EB07
, 2G060KA14
, 4M106AA01
, 4M106AA12
, 4M106BA14
, 4M106CA45
, 4M106DH09
引用特許: