特許
J-GLOBAL ID：200903052991850622
嵩密度の高いチタニア-シリカ混晶粒子の製造方法と得られるチタニア-シリカ混晶粒子及びその用途
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381800
公開番号（公開出願番号）：特開2004-210586
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】比表面積の大きな粉体でありながら、一次粒子の凝集度が低く、一次粒子、二次粒子が連なった立体構造が発達していない粉体である、有機重合体組成物あるいはシリコン重合体組成物に容易に分散、懸濁可能なチタニア-シリカ混晶粒子、その製造方法、及びその用途を提供すること。【解決手段】600°C以上に加熱した気体状のハロゲン化チタンおよびハロゲン化珪素を600°C以上に加熱した酸素もしくは水蒸気の存在下で分解せしめ、得られた粉体を300〜600°Cで加熱して粉体のハロゲン化水素濃度を1.0質量%以下に低下せしめた後、粉体を回転羽根を持つ容器に投入し、周速4m/s以上60m/s以下で回転させる攪拌処理を施す、チタニア-シリカ混晶粒子の製造方法。BET比表面積10〜200m2/g、嵩密度0.15g/cm3〜0.8g/cm3未満のチタニア-シリカ混晶粒子。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸化チタンを主成分、酸化珪素を副成分とするチタニア-シリカ混晶粒子の製造方法において、600°C以上に加熱した気体状のハロゲン化チタンおよびハロゲン化珪素を、600°C以上に加熱した酸素もしくは水蒸気の存在下で分解せしめ、得られた粉体を300°C以上600°C以下で加熱することによって粉体の原料由来ハロゲン化水素濃度を1.0質量%以下に低下せしめ、しかる後、該粉体の凝集又は立体構造を解離する処理を施すことを特徴とする嵩密度の高いチタニア-シリカ混晶粒子の製造方法。
IPC (7件)：
C01B33/18
, B01J35/02
, C01G23/07
, C08K3/22
, C08L83/00
, C08L93/00
, C08L101/00
C01B33/18 Z
, B01J35/02 J
, C01G23/07
, C08K3/22
, C08L83/00
, C08L93/00
, C08L101/00
4C083AB052
, 4C083AB172
, 4C083AB232
, 4C083AB242
, 4C083AB432
, 4C083AC122
, 4C083CC12
, 4C083EE06
, 4C083EE07
, 4G047CA02
, 4G047CB04
, 4G047CC01
, 4G047CC02
, 4G047CD04
, 4G069AA02
, 4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA02A
, 4G069BA02B
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA48A
, 4G069BB06A
, 4G069BB06B
, 4G069EA01X
, 4G069EA01Y
, 4G069EC02X
, 4G069EC02Y
, 4G069EC03X
, 4G069FB03
, 4G072AA25
, 4G072CC16
, 4G072HH07
, 4G072HH10
, 4G072HH11
, 4G072JJ03
, 4G072JJ50
, 4G072QQ20
, 4G072RR11
, 4G072TT04
, 4G072TT06
, 4G072TT11
, 4G072UU08
, 4G072UU09
, 4G072UU15
, 4J002AA011
, 4J002AA021
, 4J002AB041
, 4J002AB051
, 4J002AF001
, 4J002BB031
, 4J002BB121
, 4J002BC031
, 4J002BD041
, 4J002BD101
, 4J002BD121
, 4J002BD141
, 4J002BE021
, 4J002BF021
, 4J002BG001
, 4J002CB001
, 4J002CC031
, 4J002CC161
, 4J002CC181
, 4J002CD001
, 4J002CF061
, 4J002CF211
, 4J002CG001
, 4J002CH011
, 4J002CK021
, 4J002CL011
, 4J002CL031
, 4J002CL061
, 4J002CP001
, 4J002DE136
, 4J002DJ016
, 4J002GH00
