特許
J-GLOBAL ID：200903053007981696

誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法

発明者：
青木 延之

青木 延之 について

, 
西村 勉

西村 勉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408609
公開番号（公開出願番号）：特開2005-170692
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】誘電率を高くできるとともに、低温から高温領域まで優れた温度安定性を有し、信頼性に優れた誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。【解決手段】主成分であるチタン酸バリウム100モルに対して、副成分として少なくともマグネシウムをMgO換算で0.1〜2.5モル、希土類金属Aを酸化物換算で0.5〜5モルと希土類金属Bを酸化物換算で0.5〜5モル含有し、かつマグネシウムと希土類金属A及び希土類金属Bの比率を0.1〜2.0(ただし、希土類金属A≦希土類金属B)とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主成分であるチタン酸バリウム100モルに対して、副成分として少なくともマグネシウムをMgO換算で0.1〜2.5モル、希土類金属Aを酸化物換算で0.5〜5モルと希土類金属Bを酸化物換算で0.5〜5モル含有し、かつマグネシウムと希土類金属A及び希土類金属Bの比率を0.1〜2.0(ただし、希土類金属A≦希土類金属B)とした誘電体磁器組成物。
IPC (3件)：
C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12
FI (4件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364
Fターム (51件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA17 ,  4G031AA19 ,  4G031AA24 ,  4G031AA26 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031AA31 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA08 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB17 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3340722号公報
  • 特許第3340723号公報
審査官引用 (2件)

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