特許

J-GLOBAL ID：200903053017042396

加熱処理方法、加熱処理装置及び処理システム

発明者： 水谷 洋二 ,  永嶋 慎二 ,  米水 昭
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133647
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 ウェハへ塗布する塗布液がプラスチック等の有機系である場合には、高温で加熱処理する必要があるが、高温で加熱処理すると基板上の塗布液が酸化する、という課題がある【解決手段】 塗布液が塗布されたウェハWを加熱処理する際に、加熱処理する雰囲気をN2ガスに置換してウェハWを加熱処理するように構成したので、塗布液の酸化の抑えつつウェハWを加熱処理することができる。

請求項（抜粋）：

高温下で酸化する塗布液が塗布された基板を加熱処理する方法であって、加熱処理する雰囲気のガス濃度を制御して前記基板を加熱処理することを特徴とする加熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 G

Fターム (4件)：

5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板熱処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208124   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 塗布膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312971   出願人：東京エレクトロン株式会社