半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163521
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜からの水分をブロッキングして、半導体素子に対してホットキャリア劣化を与えるおそれのない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】層間絶縁膜7として、点欠陥を内在し、かつシリコンと水素との結合基を含む下層側の絶縁膜8を形成すると共に、下層側の絶縁膜8上にあって、塗布法,化学気相反応法などによって上層側の絶縁膜9を形成するか、あるいは、絶縁膜9を中間層側として、この中間層側の絶縁膜9から水分を脱離させながら上層側の絶縁膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置における層間絶縁膜の形成工程を含む製造方法であって、前記層間絶縁膜として、点欠陥を内在し、かつシリコンと水素との結合基を含む下層側の絶縁膜を形成すると共に、この下層側の絶縁膜上に塗布法,化学気相反応法などによって上層側の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-277750
特開平3-261144
特開昭62-013032

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