電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器並びに投射型表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241829
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】従来、薄膜SOI構造のMOS型半導体素子には、チャネル領域に蓄積する余剰キャリアにより、ドレイン破壊電圧が低下したり、電流電圧特性にキンクが生じたりするといった種々の問題が引き起こされ、動作不良の原因となっていた。【解決手段】このため、液晶パネル用基板の、画素電極を駆動する半導体層のチャネル領域と、このチャネル領域を駆動するゲート電極の配列方向に隣接した前段のゲート電極とを電気的に接続し、チャネル領域から蓄積された余剰キャリアを引き抜くようにした。

請求項（抜粋）：

基板上にマトリクス状に形成される複数の画素領域の各画素領域毎にトランジスタが配置される電気光学装置用基板において、前記基板上に前記トランジスタのチャネル領域となる半導体層が形成されてなり、該チャネル領域となる半導体層は、当該トランジスタのゲート電極が電気的に接続される走査信号線とは異なる走査信号線と電気的に接続されてなることを特徴とする電気光学装置用基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 A , H01L 29/78 626 B

Fターム (77件)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB56 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KB14 , 2H092KB23 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA22 , 2H092MA28 , 2H092MA32 , 2H092MA35 , 2H092MA41 , 2H092NA13 , 2H092NA14 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 5F110AA09 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN46 , 5F110NN54 , 5F110NN55 , 5F110NN66 , 5F110NN72 , 5F110QQ03 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-352470
半導体装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-040494 出願人：キヤノン株式会社
光弁用半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-220504 出願人：セイコー電子工業株式会社

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