不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088736
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017949
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】浮遊ゲート型メモリセルトランジスタの複合ゲートと周辺MOSトランジスタのゲート電極とを同一のリソグラフィ工程で形成する。【構成】ウェル領域40上にゲート酸化膜2及びトンネル酸化膜4を介して多結晶シリコン膜5及びONO膜6を形成する。右側領域のONO膜6を除去した後、多結晶シリコン膜8を形成する。フォトレジストをマスクとして、メモリセルトランジスタの浮遊ゲート10及び制御ゲート11並びに選択トランジスタのゲート電極12を形成する。しかる後、不純物13をイオン注入し、これを横方向拡散させて不純物拡散層14を形成する。【効果】トンネル酸化膜4を形成した後、不純物の横方向拡散により不純物拡散層14を形成するので、トンネル酸化膜4の膜質の劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成された浮遊ゲート及びこの浮遊ゲートの上に第2の絶縁膜を介して形成された制御ゲートを有する不揮発性半導体記憶素子と、上記半導体基板上に第3の絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するMOSトランジスタと、上記半導体基板に形成された上記不揮発性半導体記憶素子と上記MOSトランジスタとが共有する不純物拡散層とを備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-001176
特開平2-001176
半導体集積回路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-257330 出願人：沖電気工業株式会社

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