電界効果トランジスタ(FET)およびFET回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537137
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514382
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】デプレッション・モード(3)でスイッチング素子またはドライバとして動作する蓄積タイプの電界効果トランジスタである。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子またはドライバとして動作する蓄積タイプのデプレッション・モードの電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B , H01L 27/08 102 A , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 617 T , H01L 29/28 , H01L 27/08 321 Z

Fターム (20件)：

5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB11 , 5F048BC15 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC09 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF24 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110HK50 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM13

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-274775
インバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-057574 出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
絶縁ゲイト型電界効果半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100411 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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