特許
J-GLOBAL ID：200903053058067751

バリアメタル積層膜構造体、その積層膜の形成方法および配線の形成方法

発明者：
浮島 禎之

浮島 禎之 について

, 
佐藤 昌敏

佐藤 昌敏 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284356
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法により形成される、比抵抗が低くかつバリア性に優れると共に、導電膜との密着性にも優れたバリアメタル膜、およびその形成方法ならびにこの膜を利用した配線形成方法の提供。【解決手段】 タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第1工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第1工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第2工程とを含む。第2工程において、シリコン源ガスの導入を中止することにより、タンタル・シリコン窒化物膜上にシリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられたアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜(ただし、シリコン含有量は5〜30at%である)と、その上に設けられた、シリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物とからなるバリアメタル積層膜構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C
Fターム (33件)：
4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD49 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW04 ,  5F033WW10 ,  5F033XX05 ,  5F033XX12
引用特許：
審査官引用 (2件)

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