特許
J-GLOBAL ID：200903053067658002

半導体装置及びその作製方法

発明者：
中村 理

中村 理 について

, 
梶原 誠之

梶原 誠之 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大沼 英人

大沼 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-020801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313811
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 非晶質半導体膜の結晶化に対して触媒作用のある金属元素を用いて得られる半導体膜に残存する当該金属元素を効果的に除去する技術を提供することを目的とする。【解決手段】 非晶質構造を有する半導体膜の結晶化に用いた触媒元素を除去するために、希ガス元素を添加した領域又は希ガス元素が添加された半導体膜を形成し、加熱処理を施してそこに触媒元素を移動させ、ゲッタリングを完遂させるものである。希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に結晶構造を有する半導体膜が形成された半導体装置において、前記半導体膜に含まれる酸素の濃度は5×1018/cm3以下であり、前記半導体膜の内部又は表面近傍において、希ガス元素が1×1013〜1×1020/cm3の濃度で含まれている領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (137件)：
2H092GA59 ,  2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB07 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA02 ,  2H092MA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE37 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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