特許
J-GLOBAL ID：200903053096274841

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ

発明者：
福澤 英明

福澤 英明 について

, 
湯浅 裕美

湯浅 裕美 について

, 
岩崎 仁志

岩崎 仁志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257123
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073875
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】ピン層とフリー層との間の磁気結合の大きさを制御することにより、外部磁界に対するフリー層の磁化回転という実用的な動作を確保して、高いMR変化率を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】3層以上の金属磁性層と、前記3層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む2層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
3層以上の金属磁性層と、 前記3層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料を含む電流狭窄部とを有する2層以上の接続層と、 前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極と を具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 112 ,  H01L27/10 447
Fターム (9件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA12 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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