磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気再生素子並びに磁気メモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269783
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204095
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】素子化可能でかつ制御性が良好、さらに作製容易な磁気微小接点を提供するとともに、これを用いた高感度の再生ヘッド用素子を提供することにある。またさらに、この磁気抵抗効果素子を用いた記録再生機能をもつ磁気メモリを提供することも目的とする。【解決手段】第1の強磁性層(1)と、前記第1の強磁性層の上に設けられた絶縁層(3)と、前記絶縁層の上に設けられた第2の強磁性層(2)と、を備え、前記絶縁層には開口幅が20nm以下の開口(A)が設けられ、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とは前記開口を介して接続されてなる磁気抵抗効果素子を提供する。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた第2の強磁性層と、を備え、前記絶縁層の所定の位置に前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層とが接続される最大幅が20nm以下の開口を有する孔が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/15 112 , H01F 10/16 , H01F 10/193 , H01F 10/32 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (8件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/15 112 , H01F 10/16 , H01F 10/193 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , H01L 27/10 447

Fターム (15件)：

5D034BA03 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049DB11 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR03 , 5F083PR04

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気抵抗式磁界センサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-501382 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265663 出願人：株式会社東芝
特開平2-173278

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