特許

J-GLOBAL ID：200903053108507391

半導体装置の製造方法

発明者： 小柳 賢一 ,  藤岡 弘文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046140
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237397
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 論理回路用トランジスタの性能に影響を与えない比較的低温の温度処理で酸化タンタル膜を含む絶縁膜を形成することが可能であり、リーク電流を低減すると共に、高容量化が可能な酸化タンタルを含む絶縁膜を有する容量素子を形成するための半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 窒素をプラズマによって分解した窒素ラジカル雰囲気中で熱窒化させるRPN処理を用いて下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、Ta2O5膜をRTO処理を用いて酸化/結晶化させる。または、シリコン窒化膜をRTN処理を用いて形成し、Ta2O5膜を、酸素をプラズマによって分解した酸素ラジカル雰囲気中で熱酸化させるRPO処理を用いて酸化/結晶化させる。さらに、RPN処理を用いて下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、Ta2O5膜をRPO処理を用いて酸化/結晶化させる。

請求項（抜粋）：

酸化タンタル膜を含む絶縁膜が下部電極と上部電極間に挟まれて成る容量素子を形成するための半導体装置の製造方法であって、窒素をプラズマによって分解した窒素ラジカル雰囲気中で熱窒化させるリモートプラズマ窒化処理を用いて前記下部電極上にシリコン窒化膜を成膜し、前記シリコン窒化膜上に前記酸化タンタル膜を成膜し、該酸化タンタル膜を、酸素を含む雰囲気中で短時間に熱酸化させるRTO処理を用いて酸化させ、結晶化させる半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (8件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

Fターム (48件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045DA61 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EH18 ,  5F045HA24 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF22 ,  5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD42 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083PR13 ,  5F083PR16 ,  5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024724   出願人：日本電気株式会社
• 酸化物薄膜の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-220010   出願人：株式会社日立製作所