特許

J-GLOBAL ID：200903053111131483

表面波装置及び通信機装置

発明者： 門田 道雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077662
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 精度良くIDTを作製することができ、IDT及び圧電基板における伝搬損失がほぼ0である表面波装置を提供する。【解決手段】 オイラー角(0°,125°〜144°,0°±5°)であるLiTaO3基板上に、規格化膜厚H/λ=0.001〜0.05のAuによりIDTを構成して伝搬損失の少ないSH波を励振する。

請求項（抜粋）：

オイラー角が(0°,125°〜146°,0°±5°)であるLiTaO3基板と、前記LiTaO3基板上に形成されたIDTよりなり、前記IDTは、Auを主成分とする電極材料からなり、かつ規格化膜厚H/λ=0.001〜0.05にて形成されていることによりSH波を励振するものであることを特徴とする表面波装置。

IPC (2件)：

H03H 9/25 ,  H03H 9/145

FI (2件)：

H03H 9/25 C ,  H03H 9/145 C

Fターム (13件)：

5J097AA01 ,  5J097AA06 ,  5J097AA34 ,  5J097BB02 ,  5J097BB03 ,  5J097BB11 ,  5J097BB15 ,  5J097CC02 ,  5J097DD28 ,  5J097FF03 ,  5J097GG03 ,  5J097GG07 ,  5J097KK05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 弾性表面波装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179551   出願人：富士通株式会社
• ラブ波型弾性表面波デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-061731   出願人：国際電気株式会社
• 弾性表面波素子電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-099507   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 弾性表面波装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179551   出願人：富士通株式会社