特許
J-GLOBAL ID：200903053128390474

インダクタンス素子並びに半導体装置

発明者：
設楽 彰一

設楽 彰一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107730
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305246
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板での信号損失を抑え、かつ、従来よりも寄生容量が低減されたインダクタンス素子並びに半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板4上に、絶縁膜5,6,7を介して、所定のインダクタンス値を有するように予め設定された導電膜パターン1からなるインダクタンス部が形成されたインダクタンス素子において、上記半導体基板4表面における少なくとも上記導電膜パターン1の下方に相当する領域に、接地電位を有する、上記半導体基板4よりも不純物濃度が高い不純物領域9が形成されている。半導体装置は、このインダクタンス素子を内蔵している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、絶縁膜を介して、所定のインダクタンス値を有するように予め設定された第1の導電膜パターンからなるインダクタンス部が形成されたインダクタンス素子において、上記半導体基板表面における少なくとも上記第1の導電膜パターンの下方に相当する領域に、接地電位を有する、上記半導体基板よりも不純物濃度が高い不純物領域が形成されていることを特徴とするインダクタンス素子。
IPC (3件)：
H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01F 17/00 B ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 H
Fターム (10件)：
5E070AA01 ,  5E070BA12 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH19 ,  5F038CA05 ,  5F038CD04 ,  5F038CD13 ,  5F038DF02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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