特許
J-GLOBAL ID：200903053144289783
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079743
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275186
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】平型IGBTにおいて、パワーサイクル耐量の高いパッケージ構造とする。【解決手段】1個のパッケージ10に複数個のIGBTチップ1が実装され、各IGBTチップ1は位置決めガイド2でモリブデン(Mo)などのシリコンに熱膨張係数が近いエミッタコンタクト端子体3とが正確に位置決めされ、このエミッタコンタクト端子体3と銅(Cu)でできた上部共通電極板4との間にシリコンと熱膨張係数の近いモリブデンやタングステンなどでできた熱干渉板8が挿入されている。尚、IGBTチップ1のコレクタ側はコレクタ基板6にはんだで固着され、コレクタ基板6は銅(Cu)でできた下部共通電極板5に接触している。また上部共通電極板4と下部共通電極板5はセラミックでできた絶縁筒体7に固着されパッケージ10を構成している。
請求項（抜粋）：
第一主面に第一主電極と制御電極、第二主面に第二主電極を有する半導体チップを複数個並置して平型パッケージに組み込んだ半導体装置であって、両面に露出する一対の共通電極板と、該両共通電極板の間に絶縁筒体を設けた平型パッケージに対し、一方の共通電極板上に各半導体チップの第二主電極を固着し、他方の共通電極板と各半導体チップの第一主電極との間に、個々に加圧・導電・放熱体を兼ねたコンタクト端子体を設けた加圧接触型の半導体装置において、各コンタクト端子体と他方の共通電極板との間に一枚の熱干渉板を挿設することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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