特許

J-GLOBAL ID：200903053170045604

半導体装置および半導体表示装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  中嶋 節男 ,  坂本 直哉
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104759
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051292
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 しきい値制御可能なTFTを有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 絶縁基板上に形成された、バックゲイト電極と、第1のゲイト絶縁膜と、半導体活性層と、第2のゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを有する複数のTFTを有する半導体装置であって、前記バックゲイト電極には任意の電圧が印加される半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

複数の画素薄膜トランジスタがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、複数の薄膜トランジスタで構成された信号線駆動回路と、複数の薄膜トランジスタで構成された走査線駆動回路と、前記複数の薄膜トランジスタのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を同一基板上に有することを特徴とするアクティブマトリクス型半導体表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 N

Fターム (108件)：

2H092GA48 ,  2H092GA49 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KB23 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA13 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07 ,  2H093NA16 ,  2H093NA34 ,  2H093NA42 ,  2H093NA80 ,  2H093NC22 ,  2H093NC23 ,  2H093NC25 ,  2H093NC26 ,  2H093NC34 ,  2H093NC68 ,  2H093ND37 ,  2H093ND39 ,  2H093ND48 ,  2H093ND55 ,  2H093ND56 ,  2H093NE03 ,  2H093NE07 ,  2H093NF05 ,  2H093NG02 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110AA18 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN46 ,  5F110NN80 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタ回路および画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-046511   出願人：シャープ株式会社
• マトリクス型液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-291765   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平1-189632
  
• 非発光型ディスプレーを有する電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-329652   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-018008   出願人：日本電気株式会社