特許
J-GLOBAL ID：200903053191322225
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150905
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 SOI基板を用いて信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 SIMOX、ELTRAN、Smart-Cutに代表される技術を用いてSOI基板を作製するにあたって、主表面(結晶面)が{110}面である単結晶半導体基板101を用いる。その様なSOI基板は下地となる埋め込み絶縁層107と単結晶シリコン層106との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。
請求項（抜粋）：
主表面が{110}面である単結晶半導体基板中に水素含有層を形成する工程と、前記単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせる工程と、第1熱処理により前記単結晶半導体基板を前記水素含有層に沿って分断する工程と、900〜1200°Cの温度で第2熱処理を行う工程と、前記支持基板の上の主表面が{110}面である単結晶半導体層を研削する工程と、前記単結晶半導体層を活性層とする複数のTFTを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 27/12
H01L 29/78 627 D
, H01L 27/12 B
, H01L 29/78 620
