特許
J-GLOBAL ID：200903053217894079
半導体装置のキャパシタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048791
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247723
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 金属電極上に成膜したTa2 O5 のアニール法を改善することにより、Ta2 O5 を結晶化させるとともに、リーク電流を小さく抑えることができる半導体装置のキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 金属電極上に高誘電体Ta2 O5 膜を形成し、結晶化させて大きな比誘電率をもつキャパシタ誘電体膜を有する半導体装置のキャパシタの製造方法において、Ta2 O5 の結晶化温度より低い温度で熱処理し、Ta2 O5膜15中の酸素欠損の補償と不純物の除去を行う工程と、次に、高温熱処理で前記Ta2 O5 を結晶化することにより、金属電極14上で結晶化したTa2 O5膜15のリーク電流を低減する工程とを施す。
請求項（抜粋）：
金属電極上に高誘電体Ta2 O5 膜を形成し、結晶化させて大きな比誘電率をもつキャパシタ誘電体膜を有する半導体装置のキャパシタの製造方法において、(a)Ta2 O5 の結晶化温度より低い温度で熱処理し、Ta2 O5 膜中の酸素欠損の補償と不純物の除去を行う工程と、(b)次に、高温熱処理で前記Ta2 O5 を結晶化することにより、金属電極上で結晶化したTa2 O5 膜のリーク電流を低減する工程とを施すことを特徴とする半導体装置のキャパシタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/324
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
